美国 University Wafer 提供的 4H-SiC 碳化硅外延片是宽禁带半导体功率器件的核心衬底材料。4H-SiC 具有宽禁带（3.23 eV）、高击穿场强和高热导率等优异特性，适用于高温（>300°C）、高压（>10 kV）及高功率密度电力电子器件的制备。产品涵盖 4 英寸和 6 英寸规格，外延层厚度和掺杂浓度可按客户需求定制。
| 材料 | 4H-SiC 碳化硅外延片 |
| 直径 | 4 英寸（100 mm）/ 6 英寸（150 mm） |
| 晶体取向 | 4° off-axis (0001) 或 0° on-axis |
| 外延层厚度 | 5 – 100 μm（可定制） |
| 掺杂类型 | N 型（氮掺杂）/ P 型（铝掺杂） |
| 位错密度 | < 5000 cm⁻² |
| 表面粗糙度 | < 0.5 nm RMS |
| 品牌 | University Wafer（美国） |
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