University Wafer SOI-4L 4英寸低阻SOI晶圆，顶层硅电阻率0.01~0.1Ω·cm，埋氧层厚度0.5~2μm。适用于低功耗集成电路与RF器件的衬底隔离。
| 直径 | 4″ (100mm) |
| 顶层硅电阻率 | 0.01~0.1 Ω·cm |
| 埋氧层 | 0.5~2 μm |
| 顶层硅厚度 | 5~50 μm (可选) |
产品应用
- 适用于低功耗SoC器件的衬底隔离结构
- 可用于射频开关与控制器的寄生电容抑制
- 配合薄化工艺实现超薄SOI器件的制备
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联系方式
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