美国 University Wafer SOI晶圆（Silicon-on-Insulator），直径4/6/8英寸，顶层硅厚度0.1-10μm+埋氧层BOX 0.1-3μm+硅衬底400-725μm。电阻率0.001-10000Ω·cm，双面抛光或单面抛光。适用于射频前端开关/LNA/PA低寄生电容高线性度SOI衬底工艺、MEMS传感器/致动器悬膜结构体硅微加工牺牲层腐蚀释放以及低功耗移动SoC高性能低漏电SOI-CMOS数字/模拟混合电路设计。
| 品牌 | University Wafer |
| 国家 | 美国 |
| 型号 | SOI Wafer |
| 直径 | 4/6/8寸 |
| 顶层硅 | 0.1-10μm |
| BOX | 0.1-3μm |
| 电阻率 | 0.001-10000Ω·cm |
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