Alesa Plassys等离子体清洗系统利用低压RF氧等离子体高效去除基片表面有机污染物和氧化物。腔体设计紧凑，处理温度<100℃（低温工艺），清洗均匀性>95%。配备终点检测功能，一键式自动工艺流程，是光学镀膜前处理的理想设备。
| 参数 | 规格/描述 |
|---|---|
| 等离子体源 | 13.56 MHz RF 氧/氩等离子体 |
| 处理温度 | <100℃ (低温工艺) |
| 清洗均匀性 | >95% |
| 腔体尺寸 | 适配≤300mm基片 |
产品应用
- 光学镀膜前基片表面活化清洗
- 半导体晶圆有机残留去除
- 精密光学元件表面预处理
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联系方式
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