Alesa Helios低能离子源专为离子辅助沉积(IAD)和离子束清洗优化,能量范围50-500eV可调,束流密度0-5mA/cm²。采用无栅网格栅设计,长寿命工作1000小时以上免维护。工作气体Ar/O₂/N₂兼容,均匀性>90%(200mm范围内)。适用于光学镀膜致密化和基片活化。
| 参数 | 规格/描述 |
|---|---|
| 离子能量 | 50 ~ 500 eV (可调) |
| 束流密度 | 0 ~ 5 mA/cm² |
| 工作气体 | Ar / O₂ / N₂ |
| 维护周期 | >1000 小时免维护 |
产品应用
- 蒸发镀膜过程中离子辅助致密化
- 基片镀膜前离子束活化清洗
- 反应沉积中氧离子辅助氧化膜形成
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联系方式
元锤 OneHammer 专注进口科学仪器与工业设备供应
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