美国 University Wafer SiC碳化硅基板 GaN外延衬底 功率器件
美国 University Wafer SiC碳化硅基板 GaN外延衬底 功率器件 是用于GaN HEMT、SiC SBD/MOSFET、高频器件的高性能产品。University Wafer SiC Wafer 具有出色的性能指标和可靠性，广泛适用于科研机构、工业企业和检测实验室等场景。元锤 OneHammer 作为University Wafer的中国区合作伙伴，可为国内客户提供该型号的选型咨询、技术方案和进口采购服务。
产品数据表
| 晶型 | 4H-SiC/6H-SiC |
| 尺寸 | 2-6英寸 |
| 导电类型 | N型/半绝缘 |
| 用途 | GaN HEMT、SiC SBD/MOSFET、高频器件 |
产品特点与技术优势
美国 University Wafer SiC Wafer 是University Wafer旗下的一款重点产品，采用了先进的设计理念和制造工艺。该产品具有精度高、稳定性好、使用寿命长等突出特点，在GaN HEMT、SiC SBD/MOSFET、高频器件中表现优异。University Wafer 凭借其在该领域多年的技术积累，确保产品始终处于行业领先水平。
SiC Wafer 的典型工作条件包括，可满足GaN HEMT、SiC SBD/MOSFET、高频器件的严格需求。产品经过严格的质量控制和出厂测试，确保每一台设备都达到设计性能标准。