美国 University Wafer SiC碳化硅晶圆 功率器件衬底 高温半导体
美国 University Wafer SiC碳化硅晶圆 功率器件衬底 高温半导体 是一款专为SiC肖特基二极管衬底、MOSFET功率器件制备、高温传感器衬底设计的高性能产品。University Wafer SiC Wafer 凭借其优异的技术指标和稳定的运行表现，广泛应用于各类专业场景。元锤 OneHammer 作为University Wafer在中国的重要合作伙伴，提供该产品的选型咨询、技术支持和进口采购服务。
技术规格
| 尺寸 | 2-6英寸 |
| 晶型 | 4H-SiC |
| 微管密度 | <1/cm² |
| 电阻率 | 0.015-0.028 Ω·cm (N型) |
| 表面粗糙度 | <0.3 nm RMS |
| 用途 | SiC肖特基二极管衬底、MOSFET功率器件制备、高温传感器衬底 |
产品概述
美国 University Wafer SiC Wafer 融合了先进的设计理念和精密的制造工艺，在SiC肖特基二极管衬底、MOSFET功率器件制备、高温传感器衬底方面表现出色。该产品具备精度高、响应快、可靠性好等突出特点。University Wafer凭借在该领域多年的技术积累，确保产品性能始终处于行业领先水平。
该产品适用于SiC肖特基二极管衬底、MOSFET功率器件制备、高温传感器衬底，其设计充分考虑了实际应用中的各种工况需求，可满足关键性能指标要求。产品出厂前经过严格的质量检验和性能测试，确保每台设备均达到预期的技术标准。