美国University WaferInP-4专为InP单晶衬底光电器件外延基底而设计，采用先进制造工艺和严格质量控制，提供卓越的性能表现。产品广泛用于100G/400G光通信激光器InP外延、高速光调制器InP衬底、雪崩光电探测器APD基底，是科研与工业应用的专业选择。
**产品规格表**
| 项目 | 参数 |
|——|——|
| 品牌 | University Wafer |
| 国家 | 美国 |
| 型号 | InP-4 |
| 产品类型 | 4英寸磷化铟单晶衬底片 |
| 功能描述 | InP单晶衬底光电器件外延基底 |
| 主要用途 | 100G/400G光通信激光器InP外延、高速光调制器InP衬底、雪崩光电探测器APD基底 |
| 适用客户 | 科研院所、工业用户、系统集成商、实验室 |
| 选型重点 | 性能参数、应用场景匹配、配套需求 |
| 采购服务 | 元锤OneHammer提供选型指导与进口采购服务 |
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