美国University WaferGaN-on-Si氮化镓硅基功率外延片专为硅基GaN功率HEMT器件外延晶圆而设计，采用先进制造工艺和严格质量控制，提供卓越的性能表现。产品广泛用于氮化镓快充功率GaN器件、5G基站射频功率放大器、雷达GaN收发组件，是科研与工业应用的专业选择。
**产品规格表**
| 项目 | 参数 |
|——|——|
| 品牌 | University Wafer |
| 国家 | 美国 |
| 型号 | GaN-on-Si氮化镓硅基功率外延片 |
| 产品类型 | 硅基GaN功率HEMT器件外延晶圆 |
| 功能 | 硅基GaN功率HEMT器件外延晶圆 |
| 用途 | 氮化镓快充功率GaN器件、5G基站射频功率放大器、雷达GaN收发组件 |
| 适用客户 | 科研院所、工业用户、系统集成商、实验室 |
| 选型重点 | 性能参数、应用场景匹配、配套需求 |
| 采购服务 | 元锤OneHammer提供选型指导与进口采购服务 |
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