美国 University Wafer 提供的 GaAs（砷化镓）晶圆是射频（RF）和微波通信器件的优选衬底材料。GaAs 具有比硅更高的电子迁移率，可实现更高频率和更低噪声的器件性能。产品包括半绝缘 GaAs 和导电 N 型 GaAs 两种类型，2–6 英寸规格可选，适用于 HEMT、HBT、MMIC 及光电器件的制造。
| 材料 | GaAs 砷化镓 |
| 直径 | 2 英寸 / 3 英寸 / 4 英寸 / 6 英寸 |
| 类型 | 半绝缘 / N 型（Si掺杂） |
| 电阻率 | > 1 × 10⁷ Ω·cm（半绝缘）/ 0.001 – 0.01 Ω·cm（N型） |
| 晶向 | (100) 2° off toward <110> |
| EPD（位错密度） | < 5000 cm⁻² |
| 抛光 | 单面或双面抛光 |
| 品牌 | University Wafer（美国） |
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