美国 University Wafer 蓝宝石衬底 GaN LED外延生长

美国 University Wafer 提供的蓝宝石(Al₂O₃)衬底是 GaN 基 LED 和功率电子器件最广泛使用的异质外延基片。蓝宝石具有优异的透光性、化学稳定性和耐高温性能,C 面(0001)取向可匹配 GaN 外延生长。提供 2 英寸、4 英寸及 6 英寸双面抛光片,表面粗糙度 < 0.3 nm,适用于 MOCVD 外延工艺。

材料 蓝宝石(Al₂O₃,单晶)
直径 2 英寸 / 4 英寸 / 6 英寸
晶向 C面(0001)± 0.5°
表面处理 双面抛光(CMP)
表面粗糙度 < 0.3 nm RMS
翘曲度 < 30 μm
TTV(总厚度偏差) < 15 μm
品牌 University Wafer(美国)

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