Angstrom Engineering 3英寸磁控溅射源适用于DC/RF溅射工艺，靶材直径3英寸，兼容金属和氧化物靶材。磁场强度可调，溅射均匀性<±3%（4英寸基片范围）。内置水冷通道和暗区屏蔽，最大功率密度20W/cm²。可用于制备高精度金属膜和透明导电膜。
| 参数 | 规格/描述 |
|---|---|
| 靶材尺寸 | 3英寸 (76.2 mm) 直径 |
| 溅射方式 | DC / RF 兼容 |
| 溅射均匀性 | <±3% (4英寸基片范围) |
| 最大功率密度 | 20 W/cm² |
产品应用
- ITO透明导电薄膜磁控溅射制备
- 金属电极（Au/Pt/Ti）薄膜沉积
- 光学增透膜和反射膜溅射镀膜
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