Angstrom Engineering 考夫曼型离子源提供3cm和5cm两种栅网直径，离子能量范围50-1200eV，束流密度0-10mA/cm²。采用栅网加速设计，束斑均匀性优于±5%，工作气体Ar/O₂/N₂任选。配备中和器消除靶面电荷积累，适用于绝缘材料离子清洗和辅助沉积。可集成到AE系列镀膜机，也可作为独立模块加装至第三方镀膜系统。用于光学薄膜致密化、DLC类金刚石膜沉积、薄膜应力调控和表面清洁。
| 品牌 | Angstrom Engineering |
| 国家 | 加拿大 |
| 型号 | KRI-3cm / KRI-5cm |
| 栅网直径 | 3cm / 5cm |
| 离子能量 | 50 ~ 1200 eV |
| 束流密度 | 0 ~ 10 mA/cm² |
| 均匀性 | ±5% (束斑范围内) |
| 工作气体 | Ar / O₂ / N₂ |
| 中和器 | 标配钨丝或RF中和器 |
| 工艺 | 离子清洗 / 辅助沉积 / 薄膜改性 |
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