Angstrom Engineering基片加热器采用石英红外辐射加热或电阻式均匀加热，温度范围室温至500℃可编程控制。加热均匀性<±3%（300mm基片范围），PID精密控温精度±1℃。集成热电偶和热电阻双温度传感，过热自动保护。适配Angstrom系列真空镀膜机腔体。适用于高温镀膜工艺。
| 参数 | 规格/描述 |
|---|---|
| 加热方式 | 石英红外辐射 / 电阻式 |
| 温控范围 | 室温 ~ 500℃ (可编程) |
| 加热均匀性 | <±3% (300mm范围) |
| 控温精度 | ±1℃ (PID闭环) |
产品应用
- 高温蒸发镀膜前基片预热除气
- 多层膜沉积过程中层间退火处理
- 反应溅射氧化物薄膜的基片温度优化
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