Angstrom Engineering考夫曼离子源采用栅格型多孔提取结构，离子能量100-1500eV可调，束流直径3-16cm可选。工作气体Ar/Kr/Xe，最大束流密度5mA/cm²。集成中和阴极消除基片电荷积累，均匀性>85%（无旋转）。适用于离子束清洗、离子辅助沉积和离子束刻蚀。
| 参数 | 规格/描述 |
|---|---|
| 离子能量 | 100 ~ 1500 eV |
| 束流直径 | 3 / 8 / 16 cm (可选) |
| 最大束流密度 | 5 mA/cm² |
| 工作气体 | Ar / Kr / Xe |
产品应用
- 高精度光学元件离子束清洗和表面活化
- 离子辅助沉积提高膜层密度和附着力
- 光栅和微光学结构的离子束刻蚀加工
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联系方式
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